SIA912DJ-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

codice articolo del costruttore

SIA912DJ-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SIA912DJ-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

50726 Pieces

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Specifiche per SIA912DJ-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIA912DJ-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11.5nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 6V

Potenza - Max : 6.5W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIA91 , SIA912D

Documenti per SIA912DJ-T1-GE3

Schede tecniche : SIA912DJ-T1-GE3.pdf

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