FDMS3660S - MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

codice articolo del costruttore

FDMS3660S

Numero parte interna

ABC-FDMS3660S

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1256563 Pieces

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Specifiche per FDMS3660S

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDMS3660S

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 13A, 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1765pF @ 15V

Potenza - Max : 1W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : Power56

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDM , FDMS

Documenti per FDMS3660S

Schede tecniche : FDMS3660S.pdf

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