RT1A060APTR - MOSFET P-CH 12V 6A TSST8

codice articolo del costruttore

RT1A060APTR

Numero parte interna

ABC-RT1A060APTR

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 12V 6A TSST8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

4541446 Pieces

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Specifiche per RT1A060APTR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RT1A060APTR

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 12V 6A TSST8

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : -8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 7800pF @ 6V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 600mW (Ta)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-TSST

Pacchetto / caso : 8-SMD, Flat Lead

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RT1 , RT1A0

Documenti per RT1A060APTR

Schede tecniche : RT1A060APTR.pdf

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