SI5517DU-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

codice articolo del costruttore

SI5517DU-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SI5517DU-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1250277 Pieces

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Specifiche per SI5517DU-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI5517DU-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N and P-Channel

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 520pF @ 10V

Potenza - Max : 8.3W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : PowerPAK® ChipFET™ Dual

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® ChipFet Dual

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI551 , SI5517D

Documenti per SI5517DU-T1-GE3

Schede tecniche : SI5517DU-T1-GE3.pdf

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