CSD18511KTTT - 40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS

codice articolo del costruttore

CSD18511KTTT

Numero parte interna

ABC-CSD18511KTTT

fabbricante

T-I

Breve descrizione

40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

454615 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.72~~

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Specifiche per CSD18511KTTT

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : CSD18511KTTT

fabbricante : T-I

Descrizione : 40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS

Serie : NexFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 110A (Ta), 194A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 64nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5940pF @ 20V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 188W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DDPAK/TO-263-3

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : CSD1 , CSD185

Documenti per CSD18511KTTT

Schede tecniche : CSD18511KTTT.pdf

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