ZDS020N60TB - MOSFET N-CH 600V 8SOIC

codice articolo del costruttore

ZDS020N60TB

Numero parte interna

ABC-ZDS020N60TB

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1461264 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per ZDS020N60TB

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : ZDS020N60TB

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 8SOIC

Serie : -

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 630mA (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 310pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : ZDS , ZDS02

Documenti per ZDS020N60TB

Schede tecniche : ZDS020N60TB.pdf

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