SIA477EDJT-T1-GE3 - MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

codice articolo del costruttore

SIA477EDJT-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SIA477EDJT-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3487365 Pieces

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Specifiche per SIA477EDJT-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIA477EDJT-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Serie : TrenchFET® Gen III

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3050pF @ 6V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 19W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SC-70-6 Single

Pacchetto / caso : PowerPAK® SC-70-6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIA47 , SIA477ED

Documenti per SIA477EDJT-T1-GE3

Schede tecniche : SIA477EDJT-T1-GE3.pdf

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