FDS86267P - MOSFET P-CH 150V

codice articolo del costruttore

FDS86267P

Numero parte interna

ABC-FDS86267P

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 150V

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1002813 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.326405~~

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Specifiche per FDS86267P

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDS86267P

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 150V

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.2A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 255 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1130pF @ 75V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDS , FDS8

Documenti per FDS86267P

Schede tecniche : FDS86267P.pdf

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