FDC3601N - MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6

codice articolo del costruttore

FDC3601N

Numero parte interna

ABC-FDC3601N

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2627639 Pieces

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Specifiche per FDC3601N

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDC3601N

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 153pF @ 50V

Potenza - Max : 700mW

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore : SuperSOT™-6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per FDC3601N

Schede tecniche : FDC3601N.pdf

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