TH58BYG2S3HBAI6 - IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

codice articolo del costruttore

TH58BYG2S3HBAI6

Numero parte interna

ABC-TH58BYG2S3HBAI6

fabbricante

Toshiba Memory America, Inc.

Breve descrizione

IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

135032 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 3.08~~

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Specifiche per TH58BYG2S3HBAI6

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TH58BYG2S3HBAI6

fabbricante : Toshiba Memory America, Inc.

Descrizione : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Serie : Benand™

Stato parte : Active

Tipo di memoria : Non-Volatile

Formato di memoria : FLASH

Tecnologia : FLASH - NAND (SLC)

Dimensione della memoria : 4Gb (512M x 8)

Frequenza di clock : -

Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : 25ns

Tempo di accesso : 25ns

Interfaccia di memoria : Parallel

Tensione - Fornitura : 1.7V ~ 1.95V

temperatura di esercizio : -40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 67-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore : 67-VFBGA (6.5x8)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TH58B , TH58BYG

Documenti per TH58BYG2S3HBAI6

Schede tecniche : TH58BYG2S3HBAI6.pdf

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