FQT7N10LTF - MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

codice articolo del costruttore

FQT7N10LTF

Numero parte interna

ABC-FQT7N10LTF

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3210319 Pieces

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Specifiche per FQT7N10LTF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FQT7N10LTF

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Serie : QFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.7A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 850mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-223-4

Pacchetto / caso : TO-261-4, TO-261AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FQT , FQT7N

Documenti per FQT7N10LTF

Schede tecniche : FQT7N10LTF.pdf

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