ZXMN2A04DN8TA - MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC

codice articolo del costruttore

ZXMN2A04DN8TA

Numero parte interna

ABC-ZXMN2A04DN8TA

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

548506 Pieces

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Specifiche per ZXMN2A04DN8TA

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : ZXMN2A04DN8TA

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 22.1nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1880pF @ 10V

Potenza - Max : 1.8W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : ZXMN , ZXMN2A

Documenti per ZXMN2A04DN8TA

Schede tecniche : ZXMN2A04DN8TA.pdf

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