PSMN016-100YS,115 - MOSFET N-CH LFPAK

codice articolo del costruttore

PSMN016-100YS,115

Numero parte interna

ABC-PSMN016-100YS,115

fabbricante

Nexperia USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH LFPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1585136 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per PSMN016-100YS,115

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PSMN016-100YS,115

fabbricante : Nexperia USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH LFPAK

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 51A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.3 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2744pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 117W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : LFPAK56, Power-SO8

Pacchetto / caso : SC-100, SOT-669

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PSMN0 , PSMN016-

Documenti per PSMN016-100YS,115

Schede tecniche : PSMN016-100YS,115.pdf

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