PMZB600UNELYL - MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B

codice articolo del costruttore

PMZB600UNELYL

Numero parte interna

ABC-PMZB600UNELYL

fabbricante

Nexperia USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

8142407 Pieces

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Specifiche per PMZB600UNELYL

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PMZB600UNELYL

fabbricante : Nexperia USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN1006B

Serie : TrenchMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 600mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 620 mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.7nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 21.3pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 360mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DFN1006B-3

Pacchetto / caso : 3-XFDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PMZB , PMZB60

Documenti per PMZB600UNELYL

Schede tecniche : PMZB600UNELYL.pdf

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