CSD19537Q3T - MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON

codice articolo del costruttore

CSD19537Q3T

Numero parte interna

ABC-CSD19537Q3T

fabbricante

T-I

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

780717 Pieces

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Specifiche per CSD19537Q3T

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : CSD19537Q3T

fabbricante : T-I

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON

Serie : NexFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 50A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1680pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.8W (Ta), 83W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-VSON (3.3x3.3)

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per CSD19537Q3T

Schede tecniche : CSD19537Q3T.pdf

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