SISS67DN-T1-GE3 - MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

codice articolo del costruttore

SISS67DN-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SISS67DN-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1258040 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.260185~~

Il nostro prezzo

- (Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore: [email protected])

ABC Semiconductor ha SISS67DN-T1-GE3 in magazzino per la vendita. Possiamo spedire entro 1-2 giorni. Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore per SISS67DN-T1-GE3. La nostra email: [email protected]

Opzioni di spedizione e tempi di spedizione:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opzioni di pagamento:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Specifiche per SISS67DN-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SISS67DN-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Serie : TrenchFET® Gen III

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 111nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4380pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 65.8W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 1212-8S

Pacchetto / caso : PowerPAK® 1212-8S

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SISS6 , SISS67D

Documenti per SISS67DN-T1-GE3

Schede tecniche : SISS67DN-T1-GE3.pdf

Prodotti correlati per SISS67DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Numero parte	Marca	Descrizione
WF135272WL60238BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 16KV SCREW.
WF165270WL76238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7600PF 16KV SCREW.
WF165335WL10336BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 16KV SCREW.
WF125300BH10338BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 10KV SCREW.
BZ118100WV10136CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 100PF 30KV AXIAL.
BZ114096WZ10248BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1000PF 40KV.
CDR33BP302AJWSAB	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 3000PF 50V BP 1210.
TF170311WW40236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 32KV R85.
WF165336WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
WX110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 14KV SCREW.
WF135285WP50233BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 20KV SCREW.
WF110250WJ50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 14KV SCREW.
WX095162WJ15236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1500PF 14KV SCREW.
WI140376WP10336BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 20KV SCREW.
WX095162WJ25236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 2500PF 14KV SCREW.
WF165336WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
PZ0140WL10136CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 100PF 16KV DISK.
WI140316WQ75236BJ4	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
BZ114096WZ10238BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1000PF 40KV AXIAL.
TF170279BQ50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 25KV R85.