IRG8CH137K10F - IGBT CHIP WAFER

codice articolo del costruttore

IRG8CH137K10F

Numero parte interna

ABC-IRG8CH137K10F

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

IGBT CHIP WAFER

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

54333 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per IRG8CH137K10F

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRG8CH137K10F

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : IGBT CHIP WAFER

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo IGBT : -

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1200V

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 150A

Corrente - Collector Pulsed (Icm) : -

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 150A

Potenza - Max : -

Cambiare energia : -

Tipo di input : Standard

Carica del cancello : 820nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C : 115ns/570ns

Condizione di test : 600V, 150A, 2 Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr) : -

temperatura di esercizio : -40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : Die

Pacchetto dispositivo fornitore : Die

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRG8 , IRG8CH

Documenti per IRG8CH137K10F

Schede tecniche : IRG8CH137K10F.pdf

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