2SK2719(F) - MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN

codice articolo del costruttore

2SK2719(F)

Numero parte interna

ABC-2SK2719(F)

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

29937 Pieces

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Specifiche per 2SK2719(F)

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 2SK2719(F)

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 750pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 125W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-3P(N)

Pacchetto / caso : TO-3P-3, SC-65-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 2SK , 2SK27

Documenti per 2SK2719(F)

Schede tecniche : 2SK2719(F).pdf

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