DMN10H170SFG-13 - MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

codice articolo del costruttore

DMN10H170SFG-13

Numero parte interna

ABC-DMN10H170SFG-13

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2992682 Pieces

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Specifiche per DMN10H170SFG-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMN10H170SFG-13

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 122 mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14.9nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 870.7pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 940mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerDI3333-8

Pacchetto / caso : 8-PowerWDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMN10 , DMN10H1

Documenti per DMN10H170SFG-13

Schede tecniche : DMN10H170SFG-13.pdf

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