IRFH7911TR2PBF - MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN

codice articolo del costruttore

IRFH7911TR2PBF

Numero parte interna

ABC-IRFH7911TR2PBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

51181 Pieces

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Specifiche per IRFH7911TR2PBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRFH7911TR2PBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 13A, 28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.6 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1060pF @ 15V

Potenza - Max : 2.4W, 3.4W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 18-PowerVQFN

Pacchetto dispositivo fornitore : PQFN (5x6)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRFH , IRFH791

Documenti per IRFH7911TR2PBF

Schede tecniche : IRFH7911TR2PBF.pdf

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