DMHC6070LSD-13 - MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO

codice articolo del costruttore

DMHC6070LSD-13

Numero parte interna

ABC-DMHC6070LSD-13

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1254106 Pieces

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Specifiche per DMHC6070LSD-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMHC6070LSD-13

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.1A, 2.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 731pF @ 20V

Potenza - Max : 1.6W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMHC , DMHC607

Documenti per DMHC6070LSD-13

Schede tecniche : DMHC6070LSD-13.pdf

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