1N4006-G - DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

codice articolo del costruttore

1N4006-G

Numero parte interna

ABC-1N4006-G

fabbricante

Comchip Technology

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

25502526 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per 1N4006-G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 1N4006-G

fabbricante : Comchip Technology

Descrizione : DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 800V

Corrente: media rettificata (Io) : 1A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : -

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 5µA @ 800V

Capacità @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto / caso : DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore : DO-41

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 1N , 1N40

Documenti per 1N4006-G

Schede tecniche : 1N4006-G.pdf

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