R6004JND3TL1 - MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS

codice articolo del costruttore

R6004JND3TL1

Numero parte interna

ABC-R6004JND3TL1

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

891863 Pieces

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Specifiche per R6004JND3TL1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : R6004JND3TL1

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.43 Ohm @ 2A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id : 7V @ 450µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 15V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 260pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 60W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : R600 , R6004J

Documenti per R6004JND3TL1

Schede tecniche : R6004JND3TL1.pdf

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