TSM120N06LCR RLG - MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN

codice articolo del costruttore

TSM120N06LCR RLG

Numero parte interna

ABC-TSM120N06LCR RLG

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2649542 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per TSM120N06LCR RLG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TSM120N06LCR RLG

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 54A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 36.5nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2116pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 69W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PDFN (5x6)

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TSM12 , TSM120N0

Documenti per TSM120N06LCR RLG

Schede tecniche : TSM120N06LCR RLG.pdf

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