SIZF906ADT-T1-GE3 - MOSFET DUAL N-CHAN 30V

codice articolo del costruttore

SIZF906ADT-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SIZF906ADT-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET DUAL N-CHAN 30V

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

856961 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per SIZF906ADT-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIZF906ADT-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET DUAL N-CHAN 30V

Serie : TrenchFET® Gen IV

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual), Schottky

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V, 200nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

Potenza - Max : 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PowerPair® (6x5)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIZF9 , SIZF906A

Documenti per SIZF906ADT-T1-GE3

Schede tecniche : SIZF906ADT-T1-GE3.pdf

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