FDC6561AN - MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

codice articolo del costruttore

FDC6561AN

Numero parte interna

ABC-FDC6561AN

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

3129294 Pieces

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Specifiche per FDC6561AN

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDC6561AN

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3.2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 220pF @ 15V

Potenza - Max : 700mW

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore : SuperSOT™-6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDC , FDC6

Documenti per FDC6561AN

Schede tecniche : FDC6561AN.pdf

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