BSO612CV - MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC

codice articolo del costruttore

BSO612CV

Numero parte interna

ABC-BSO612CV

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

48659 Pieces

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Specifiche per BSO612CV

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSO612CV

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC

Serie : SIPMOS®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N and P-Channel

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 340pF @ 25V

Potenza - Max : 2W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : P-DSO-8

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per BSO612CV

Schede tecniche : BSO612CV.pdf

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