FDD18N20LZ - MOSFET N-CH 200V DPAK-3

codice articolo del costruttore

FDD18N20LZ

Numero parte interna

ABC-FDD18N20LZ

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V DPAK-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

832006 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per FDD18N20LZ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDD18N20LZ

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 200V DPAK-3

Serie : UniFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 16A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1575pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 89W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D-Pak

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDD , FDD18

Documenti per FDD18N20LZ

Schede tecniche : FDD18N20LZ.pdf

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