IRLHS6376TR2PBF - MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

codice articolo del costruttore

IRLHS6376TR2PBF

Numero parte interna

ABC-IRLHS6376TR2PBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

51909 Pieces

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Specifiche per IRLHS6376TR2PBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRLHS6376TR2PBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 270pF @ 25V

Potenza - Max : 1.5W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-PQFN (2x2)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRLHS , IRLHS63

Documenti per IRLHS6376TR2PBF

Schede tecniche : IRLHS6376TR2PBF.pdf

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