NVATS5A112PLZT4G - MOSFET P-CHANNEL 60V 27A ATPAK

codice articolo del costruttore

NVATS5A112PLZT4G

Numero parte interna

ABC-NVATS5A112PLZT4G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CHANNEL 60V 27A ATPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1464337 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per NVATS5A112PLZT4G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NVATS5A112PLZT4G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CHANNEL 60V 27A ATPAK

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 27A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 43 mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 33.5nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1450pF @ 20V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 48W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : ATPAK

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NVATS , NVATS5A1

Documenti per NVATS5A112PLZT4G

Schede tecniche : NVATS5A112PLZT4G.pdf

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