BVSS123LT1G - MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

codice articolo del costruttore

BVSS123LT1G

Numero parte interna

ABC-BVSS123LT1G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

6975479 Pieces

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Specifiche per BVSS123LT1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BVSS123LT1G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 170mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 20pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 225mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23-3

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BVS , BVSS1

Documenti per BVSS123LT1G

Schede tecniche : BVSS123LT1G.pdf

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