IXFN80N60P3 - MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

codice articolo del costruttore

IXFN80N60P3

Numero parte interna

ABC-IXFN80N60P3

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

57330 Pieces

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Specifiche per IXFN80N60P3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXFN80N60P3

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

Serie : HiPerFET™, Polar3™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 66A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 13100pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 960W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-227B

Pacchetto / caso : SOT-227-4, miniBLOC

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXF , IXFN8

Documenti per IXFN80N60P3

Schede tecniche : IXFN80N60P3.pdf

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