FDMD86100 - MOSFET 2N-CH 100V

codice articolo del costruttore

FDMD86100

Numero parte interna

ABC-FDMD86100

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 100V

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

424823 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per FDMD86100

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDMD86100

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2N-CH 100V

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Source

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2060pF @ 50V

Potenza - Max : 2.2W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-Power 5x6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDM , FDMD

Documenti per FDMD86100

Schede tecniche : FDMD86100.pdf

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