DMP2007UFG-13 - MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8

codice articolo del costruttore

DMP2007UFG-13

Numero parte interna

ABC-DMP2007UFG-13

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1736693 Pieces

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Specifiche per DMP2007UFG-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMP2007UFG-13

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Ta), 40A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 85nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4621pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.3W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerDI3333-8

Pacchetto / caso : 8-PowerWDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMP2 , DMP200

Documenti per DMP2007UFG-13

Schede tecniche : DMP2007UFG-13.pdf

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