PHB38N02LT,118 - MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK

codice articolo del costruttore

PHB38N02LT,118

Numero parte interna

ABC-PHB38N02LT,118

fabbricante

NXP USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

110392 Pieces

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Specifiche per PHB38N02LT,118

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PHB38N02LT,118

fabbricante : NXP USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK

Serie : TrenchMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 44.7A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15.1nC @ 5V

Vgs (massimo) : 12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 20V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 57.6W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PHB3 , PHB38N0

Documenti per PHB38N02LT,118

Schede tecniche : PHB38N02LT,118.pdf

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