TPN11006NL,LQ - MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

codice articolo del costruttore

TPN11006NL,LQ

Numero parte interna

ABC-TPN11006NL,LQ

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2090193 Pieces

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Specifiche per TPN11006NL,LQ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TPN11006NL,LQ

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

Serie : U-MOSVIII-H

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 17A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.4 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 700mW (Ta), 30W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TPN1 , TPN110

Documenti per TPN11006NL,LQ

Schede tecniche : TPN11006NL,LQ.pdf

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