CSD23202W10 - MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

codice articolo del costruttore

CSD23202W10

Numero parte interna

ABC-CSD23202W10

fabbricante

T-I

Breve descrizione

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

4447338 Pieces

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Specifiche per CSD23202W10

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : CSD23202W10

fabbricante : T-I

Descrizione : MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

Serie : NexFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.2A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 53 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3.8nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : -6V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 512pF @ 6V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 4-DSBGA (1x1)

Pacchetto / caso : 4-UFBGA, DSBGA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : CSD , CSD23

Documenti per CSD23202W10

Schede tecniche : CSD23202W10.pdf

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