NP55N055SDG-E1-AY - MOSFET N-CH 55V 55A TO-252

codice articolo del costruttore

NP55N055SDG-E1-AY

Numero parte interna

ABC-NP55N055SDG-E1-AY

fabbricante

Renesas Electronics America

Breve descrizione

MOSFET N-CH 55V 55A TO-252

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

50592 Pieces

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Specifiche per NP55N055SDG-E1-AY

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NP55N055SDG-E1-AY

fabbricante : Renesas Electronics America

Descrizione : MOSFET N-CH 55V 55A TO-252

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 55A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 96nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4800pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.2W (Ta), 77W (Tc)

temperatura di esercizio : 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252 (MP-3ZK)

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NP55N , NP55N055

Documenti per NP55N055SDG-E1-AY

Schede tecniche : NP55N055SDG-E1-AY.pdf

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