IRFHE4250DTRPBF - MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

codice articolo del costruttore

IRFHE4250DTRPBF

Numero parte interna

ABC-IRFHE4250DTRPBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

52923 Pieces

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Specifiche per IRFHE4250DTRPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRFHE4250DTRPBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

Serie : FASTIRFET™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 86A, 303A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.75 mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1735pF @ 13V

Potenza - Max : 156W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 32-PowerWFQFN

Pacchetto dispositivo fornitore : 32-PQFN (6x6)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRFHE , IRFHE42

Documenti per IRFHE4250DTRPBF

Schede tecniche : IRFHE4250DTRPBF.pdf

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