RUS100N02TB - MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP

codice articolo del costruttore

RUS100N02TB

Numero parte interna

ABC-RUS100N02TB

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

776230 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per RUS100N02TB

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RUS100N02TB

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP

Serie : -

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2250pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2W (Ta)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per RUS100N02TB

Schede tecniche : RUS100N02TB.pdf

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