C3M0065100J - MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7

codice articolo del costruttore

C3M0065100J

Numero parte interna

ABC-C3M0065100J

fabbricante

Cree/Wolfspeed

Breve descrizione

MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

65898 Pieces

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Specifiche per C3M0065100J

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : C3M0065100J

fabbricante : Cree/Wolfspeed

Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7

Serie : C3M™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 78 mOhm @ 20A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 15V

Vgs (massimo) : +15V, -4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 600V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 113.5W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK-7

Pacchetto / caso : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : C3M , C3M00

Documenti per C3M0065100J

Schede tecniche : C3M0065100J.pdf

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