TC58BYG1S3HBAI4 - 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE

codice articolo del costruttore

TC58BYG1S3HBAI4

Numero parte interna

ABC-TC58BYG1S3HBAI4

fabbricante

Toshiba Memory America, Inc.

Breve descrizione

2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

156352 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 2.66~~

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Specifiche per TC58BYG1S3HBAI4

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TC58BYG1S3HBAI4

fabbricante : Toshiba Memory America, Inc.

Descrizione : 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE

Serie : Benand™

Stato parte : Active

Tipo di memoria : Non-Volatile

Formato di memoria : FLASH

Tecnologia : FLASH - NAND (SLC)

Dimensione della memoria : 2Gb (256M x 8)

Frequenza di clock : -

Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : 25ns

Tempo di accesso : -

Interfaccia di memoria : -

Tensione - Fornitura : 1.7V ~ 1.95V

temperatura di esercizio : -40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore : 63-TFBGA (9x11)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TC58B , TC58BYG

Documenti per TC58BYG1S3HBAI4

Schede tecniche : TC58BYG1S3HBAI4.pdf

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