BAS516,H3F - DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

codice articolo del costruttore

BAS516,H3F

Numero parte interna

ABC-BAS516,H3F

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

21393792 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per BAS516,H3F

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BAS516,H3F

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V

Corrente: media rettificata (Io) : 250mA

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 150mA

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 3ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 200nA @ 80V

Capacità @ Vr, F : 0.35pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SC-79, SOD-523

Pacchetto dispositivo fornitore : ESC

Temperatura operativa - Giunzione : 150°C (Max)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per BAS516,H3F

Schede tecniche : BAS516,H3F.pdf

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