SI1026X-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6

codice articolo del costruttore

SI1026X-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SI1026X-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

3933713 Pieces

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Specifiche per SI1026X-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI1026X-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 305mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 30pF @ 25V

Potenza - Max : 250mW

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore : SC-89-6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI10 , SI1026X

Documenti per SI1026X-T1-GE3

Schede tecniche : SI1026X-T1-GE3.pdf

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