IRL40T209ATMA1 - MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1

codice articolo del costruttore

IRL40T209ATMA1

Numero parte interna

ABC-IRL40T209ATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

213072 Pieces

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Specifiche per IRL40T209ATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRL40T209ATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1

Serie : StrongIRFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 300A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.72 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 269nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 16000pF @ 20V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 500W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-HSOF-8-1

Pacchetto / caso : 8-PowerSFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRL4 , IRL40T2

Documenti per IRL40T209ATMA1

Schede tecniche : IRL40T209ATMA1.pdf

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