BSS119NH6433XTMA1 - MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3

codice articolo del costruttore

BSS119NH6433XTMA1

Numero parte interna

ABC-BSS119NH6433XTMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

7313698 Pieces

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Specifiche per BSS119NH6433XTMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSS119NH6433XTMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 190mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 190mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 13µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.6nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 20.9pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 500mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-SOT23-3

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSS11 , BSS119NH

Documenti per BSS119NH6433XTMA1

Schede tecniche : BSS119NH6433XTMA1.pdf

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