IRLR3717TRPBF - MOSFET N-CH 20V 120A DPAK

codice articolo del costruttore

IRLR3717TRPBF

Numero parte interna

ABC-IRLR3717TRPBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 20V 120A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1173536 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per IRLR3717TRPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRLR3717TRPBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 20V 120A DPAK

Serie : HEXFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.45V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2830pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 89W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D-Pak

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRLR , IRLR37

Documenti per IRLR3717TRPBF

Schede tecniche : IRLR3717TRPBF.pdf

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