EMD3T2R - TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

codice articolo del costruttore

EMD3T2R

Numero parte interna

ABC-EMD3T2R

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

6433903 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per EMD3T2R

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : EMD3T2R

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Serie : -

Stato parte : Active

Transistor Type : 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V

Resistor - Base (R1) : 10 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2) : 10 kOhms

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 30 @ 5mA, 5V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Limite del collettore (max) : 500nA

Frequenza - Transizione : 250MHz

Potenza - Max : 150mW

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore : EMT6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : EM , EMD

Documenti per EMD3T2R

Schede tecniche : EMD3T2R.pdf

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