SI7212DN-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8

codice articolo del costruttore

SI7212DN-T1-E3

Numero parte interna

ABC-SI7212DN-T1-E3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

480256 Pieces

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Specifiche per SI7212DN-T1-E3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI7212DN-T1-E3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Potenza - Max : 1.3W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : PowerPAK® 1212-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 1212-8 Dual

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI72 , SI7212D

Documenti per SI7212DN-T1-E3

Schede tecniche : SI7212DN-T1-E3.pdf

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