MUN5116DW1T1G - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

codice articolo del costruttore

MUN5116DW1T1G

Numero parte interna

ABC-MUN5116DW1T1G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

13311298 Pieces

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Specifiche per MUN5116DW1T1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : MUN5116DW1T1G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Serie : -

Stato parte : Active

Transistor Type : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V

Resistor - Base (R1) : 4.7 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2) : -

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 160 @ 5mA, 10V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Limite del collettore (max) : 500nA

Frequenza - Transizione : -

Potenza - Max : 250mW

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore : SC-88/SC70-6/SOT-363

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : MUN5 , MUN511

Documenti per MUN5116DW1T1G

Schede tecniche : MUN5116DW1T1G.pdf

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